具有第二导电类型的第一掺杂区（22）位于该第一半导体区中，其中该第一掺杂区和该第一半导体区提供第一电荷平衡区（142）。具有该第二导电类型的第二掺杂区（23）位于该第二半导体区中并且插置在该沟槽栅极结构与该第…...
长期以来，这些关键驱动芯片领域一直被欧美企业垄断，制约着我国新能源汽车与高端装备产业链的自主安全。 深受鼓舞的英弗耐思将总部从外地搬到武汉，已自主研发多款车规级“卡脖子”芯片，成功导入国内主流车身域控制器供应…...
阈值电压限制：增强型MOSFET需Vgs > Vth + 2V才能进入饱和区，低电压系统难以满足 驱动电流不足：单片机IO最大输出20mA，无法为栅极电容（Qg可达100nC）提供足够充电电流，导致开关时…...
描述；AP15N04S采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。特征； 漏源电压（VDS）=40V 漏…...
U4316是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道，适用于三相应用。可以通过外部电流检测电阻获得一个电流跳闸功能，该功能可终止所有六个输出。过流故障条件在通过连接到RC…...
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