针对上述挑战，研究团队从存储单元特性、非单元电路以及计算方案三个层面，对 3D FeNAND进行了协同优化，以同时提升能效和吞吐率（TOPS）。相比之下，超高密度的 3D FeNAND 阵列无需更新权重，…...
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、动态随机存储器”的专利，公开号CN121218583A，申请日期为2024年6月。企业注册资本6019279.7469万人…...
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