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长鑫科技申请半导体器件及其制备方法、动态随机存储器专利,该半导体器件包括沟道结构、位线和字线(长鑫科技有限公司)

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国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、动态随机存储器”的专利,公开号CN121218583A,申请日期为2024年6月。企业注册资本6019279.7469万人…...