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沟道迁移率一致性的“隐形坐标”:4H碳化硅同质外延片化学计量比的空间均匀性(高迁移率沟道材料和应变硅材料)

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当业界将注意力集中在掺杂浓度波动、界面态密度控制以及缺陷密度管理等传统维度时,一个更为基础的材料本征参数——化学计量比(CSi)的空间分布均匀性——正逐渐浮出水面,成为制约**器件一致性的隐藏变量。 化学计…...