国家知识产权局信息显示，江苏芯德『半导体』科技股份有限公司取得一项名为“一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装『芯片』结构”的专利，授权公告号CN223957963U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明的一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装『芯片』结构，采用由多层金属堆叠构成的屏蔽环和在『芯片』背面粘合金属屏蔽层相结合的方式，实现电磁屏蔽功能。堆叠的金属层和金属屏蔽层可选用不同材料，以达到在不同电磁环境下均能起到屏蔽效果的目的，屏蔽效果好。本发明的一种具有电磁屏蔽功能的扇出式晶圆级封装『芯片』结构，其结构简单，通过使用将屏蔽材料埋入封装材料的方式，不会增大封装体积，有利于封装的集成化，小型化；有效解决当前电磁屏蔽组件无法与晶圆级封装很好结合的问题，尤其是解决了当前具有电磁屏蔽功能的封装结构在复杂电磁场环境下屏蔽效果不佳的问题，具有很强的实用性和广泛地适用性。
天眼查资料显示，江苏芯德『半导体』科技股份有限公司，成立于2026年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本95906.1732万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯德『半导体』科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标™️信息12条，专利信息287条，此外企业还拥有行政许可43个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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